بهبود و نوسازی کارخانه‌های چینی سامسونگ و اس‌کی هاینیکس به منظور تولید تراشه‌های نوین‌تر
براساس گزارش ایسنا، بعد از سال ۲۰۲۲ که ایالات متحده محدودیت‌هایی را بر صادرات برخی تجهیزات مورد نیاز برای ساخت تراشه به منظور کاهش سرعت پیشرفت فناوری چین وضع کرد، تعیین مقدار سرمایه‌گذاری در فعالیت‌های مستقر در این کشور به یک مسئله پیچیده برای غول‌های صنعت نیمه‌رسانای کره‌جنوبی تبدیل شده است.
هم‌اکنون، دو شرکت اصلی باید به‌منظور نصب تجهیزات ساخت ایالات متحده (از جمله دستگاه‌های اچینگ یا حکاکی) در چین، هر ساله از مقامات آمریکایی مجوز بگیرند. «دفتر صنعت و امنیت» وزارت بازرگانی آمریکا در سال ۲۰۲۵ به‌طور مشخص اعلام کرده است که قصدی برای صدور مجوزهایی جهت بهبود فناوری و افزایش ظرفیت کارخانه‌های متعلق به تولیدکنندگان خارجی تراشه در چین ندارد.
این محدودیت‌های قانونی، توانایی این شرکت‌ها را در نوسازی کارخانجاتشان کاهش داده و موجب شده است که سهم بازارشان به نفع شرکت چینی «یانگ‌تسه مموری تکنولوژیز» (YMTC) از دست برود. مدیران این برندهای کره‌ای به‌روشنی ابراز نگرانی کرده‌اند که تنش‌های ژئوپلیتیک اثر منفی بر فعالیت‌های آنها در چین می‌گذارد.
شرکت سامسونگ و «اس‌کی هاینیکس» (SK Hynix) در بیانیه‌هایی به خبرگزاری رویترز تأکید کردند که فرآیند به‌روزرسانی در حال انجام است و این کار با در نظر گرفتن مشورت‌های دقیق با واشنگتن صورت می‌گیرد. اما آنها جزئیاتی را در خصوص برنامه‌های تولیدی خود فاش نکردند.
براساس اطلاعات به‌دست‌آمده، این دو غول صنعتی در تلاش‌اند تراشه‌های حافظه فلش ناند (NAND) با بیش از ۲۰۰ لایه را در کارخانه‌های چینی خود تولید کنند. این تلاش مشابه با آنچه در کره‌جنوبی انجام می‌شود، سطح تولید آنها را هم‌تراز خواهد کرد.
تراشه‌های ناند نوعی حافظه هستند که قابلیت ذخیره داده‌ها را حتی بدون وجود جریان برق دارند و به‌طور گسترده در تلفن‌های هوشمند، رایانه‌های شخصی و SSDهای مورد استفاده در مراکز داده هوش مصنوعی کاربرد دارند. افزایش تعداد لایه‌های موجود در هر تراشه به معنای افزایش ظرفیت ذخیره‌سازی و کاهش هزینه‌ها است. به‌علاوه، سامسونگ در نظر دارد تراشه‌های ۲۸۶ لایه‌ای را تولید کند.
بر اساس اطلاعات منابع آگاه، کارخانه سامسونگ در «شی‌آن» در شمال غرب چین — که حدود ۴۰ درصد از تولید جهانی حافظه‌های ناند این شرکت را تأمین می‌کند — در حال حاضر تراشه‌هایی با نزدیک به ۲۰۰ لایه تولید می‌نماید.
یکی از این منابع اندازه‌گیری ذکر کرده است که سامسونگ در پروژه‌ای داخلی که به نام «مونامی» (Monami) — که به معنی «دوست من» در زبان فرانسوی است — شناخته می‌شود، در حال تغییر کاربری این تاسیسات به منظور تولید تراشه‌های ناند مدل V۹ با ۲۸۶ لایه می‌باشد. هدف این شرکت دستیابی به تولید ماهانه ۵۰۰۰ «ویفر» (قرص سیلیکونی) تا دسامبر سال جاری و افزایش این رقم به ۴۰ هزار ویفر تا دسامبر ۲۰۲۷ است.
سامسونگ بیان کرد که این ارتقا در راستای رعایت مقررات صادرات آمریکا انجام می‌گیرد و افزود: «هدف از این بروزرسانی، پاسخ به تقاضای روزافزون مشتریان جهانی، از جمله مشتریان در ایالات متحده است. این شرکت در حال توسعه ظرفیت تولید یا تأسیس واحدهای تولیدی جدید نیست.»
سه منبع مطلع بیان کردند که شرکت «اس‌کی هاینیکس» نیز در حال برنامه‌ریزی برای تولید محصولات NAND با ۲۴۰ لایه و یا بیشتر در تأسیسات خود در شهر «دالیان» واقع در شمال شرقی چین است.
به گفته یکی از این منابع، این شرکت در حال حاضر محصولات با ۱۹۲ لایه در این منطقه تولید می‌کند.
شرکت «اس‌کی هاینیکس» این مجموعه را در سال ۲۰۲۱، همزمان با خرید بخش تولید حافظه‌های ناند شرکت اینتل، به دست آورده است.
براساس گزارشی از رویترز، یکی از منابع مذکور بیان کرده است که این شرکت مجوز تولید تراشه‌هایی با حداکثر ۲۴۰ لایه را در دالیان دارد و ممکن است برای تحقیق و توسعه بر روی تراشه‌هایی با بالاتر از ۳۰۰ لایه در این مرکز، از آمریکا درخواست مجوز نماید؛ حرکتی که ممکن است زمینه‌ساز تولید این محصولات در ایالات متحده باشد.
این شرکت همچنین در حال گفتگو با دولت ترامپ به‌منظور برنامه‌ریزی برای احداث یک کارخانه جدید برای تولید حافظه‌های ناند در ایالات متحده است.
انتهای پیام