برنده جوان نوبل فیزیک 2010 به ایران می آید
ساعت24- دومین مدرسه بهاری دانشگاه صنعتی شریف در حوزه گرافین، اردیبهشت ماه امسال با حضور پروفسور نووسلوف، برنده جایزه نوبل فیزیک 2010 از سوی گروه پژوهشی فیزیک مواد پیشرفته دانشگاه برگزار می شود.
در این مدرسه سه روزه که ششم اردیبهشت ماه آغاز می شود علاوه بر پروفسور کنستانتین نووسلوف، فیزیکدان برجسته روس، سخنرانان دیگری از جمله پروفسور کوشینو از ژاپن٬ پروفسور حسن از هند و پروفسور گرونیس از آلمان نیز حضور دارند که پیرامون خواص نوری و الکترونیکی مواد دو بعدی و ساختارهای مشابه، خواص الکترونیکی مواد دوبعدی کاربردی چون گرافن٬ فلزات واسطه٬ برونیترید٬ فسفرن و ...، فیزیک گرافن و مرزهای آن و روش کوانتوم شاخهای سخنرانی می کنند.
علاقمندان تا ۲۱ فروردین برای ثبتنام در این مدرسه فرصت دارند.
گفتنی است، دکتر کنستانتین نووسلوف در سن ۳۶ سالگی به همراه « دکتر آندره گیم»، جایزه نوبل فیزیک سال ۲۰۱۰ را دریافت کرد و نام خود را به عنوان جوانترین برنده روس جایزه نوبل ثبت کرد.
این جایزه به پاس تحقیقات ابتکاری این دو دانشگر در زمینه «گرافن» به آنها تعلق گرفت.
برندگان نوبل فیزیک ۲۰۱۰
گرافن، ساختاری دو بعدی از یک لایه منفرد شبکه لانه زنبوری کربنی است که به دلیل رسانندگی الکتریکی و رسانندگی گرمایی، چگالی بالا و تحرک پذیری حاملهای بار، رسانندگی اپتیکی و خواص مکانیکی ویژه به مادهای منحصر به فرد تبدیل شده است. این سامانه جدید حالت جامد به واسطه این خواص فوق العاده به عنوان کاندیدایی بسیار مناسب برای جایگزینی سیلیکون در نسل بعدی قطعههای فوتونیکی و الکترونیکی در نظر گرفته شده و از این رو توجه کم سابقهای را در تحقیقات بنیادی و کاربردی به خود جلب کرده است.
علاقمندان تا ۲۱ فروردین برای ثبتنام در این مدرسه فرصت دارند.
گفتنی است، دکتر کنستانتین نووسلوف در سن ۳۶ سالگی به همراه « دکتر آندره گیم»، جایزه نوبل فیزیک سال ۲۰۱۰ را دریافت کرد و نام خود را به عنوان جوانترین برنده روس جایزه نوبل ثبت کرد.
این جایزه به پاس تحقیقات ابتکاری این دو دانشگر در زمینه «گرافن» به آنها تعلق گرفت.
برندگان نوبل فیزیک ۲۰۱۰
گرافن، ساختاری دو بعدی از یک لایه منفرد شبکه لانه زنبوری کربنی است که به دلیل رسانندگی الکتریکی و رسانندگی گرمایی، چگالی بالا و تحرک پذیری حاملهای بار، رسانندگی اپتیکی و خواص مکانیکی ویژه به مادهای منحصر به فرد تبدیل شده است. این سامانه جدید حالت جامد به واسطه این خواص فوق العاده به عنوان کاندیدایی بسیار مناسب برای جایگزینی سیلیکون در نسل بعدی قطعههای فوتونیکی و الکترونیکی در نظر گرفته شده و از این رو توجه کم سابقهای را در تحقیقات بنیادی و کاربردی به خود جلب کرده است.
